苏州长光华芯光电技术股份有限公司 成立于2012年，位于江苏苏州，公司主要致力于高功率半导体激光器芯片、高效率激光雷达与3D传感芯片、高速光通信半导体激光芯片及器件和系统的研发、生产和销售。产品广泛应用于：工业激光器泵浦、激光先进制造装备、生物医学美容、高速光通信、机器视觉与传感等。
公司拥有一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才工程入选者和行业资深管理和技术专家以及4位院士组成的顾问团队等，公司研发技术队伍中硕士博士占比超过50%，团队多次获得各级部门重大创新团队和领军人才殊荣。已建成从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高功率巴条和叠阵等产品，在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破，获多项专利，与全球先进水平同步。公司建立了完整的研发、生产及质量管理体系，通过了ISO9001质量体系，以高性能和高可靠性产品服务客户。
未来，长光华芯将牢记“中国激光芯，光耀美好生活”的企业使命，以“POSS”（”专业”—Professional，”用心”—Observant，”服务”—Serving，”奋斗”—Striving）企业精神和价值观，服务客户和社会，实现“在激光芯片领域综合实力和创新能力具有全球竞争力”的目标。——“心所往，光所至”。
长光华芯也是研发VCSEL的企业，已推出距离传感器、结构光（SL）、飞行时间（ToF）三大类产品，标准产品的波长包含808 nm、850 nm、940 nm等，是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。2019年4月获华为哈勃投资。
核心技术
外延生长技术
Epitaxial growth
外延生长是指在一定结晶取向的原有晶体（一般称为衬底）上延伸出并按一定晶体学方向生长单晶层的方法，这个单晶层被称为外延层。外延生长可以精确控制外延层的组分、厚度、界面、掺杂及均匀性，是半导体激光器制作的首步工序。外延生长的材料结构及质量直接决定了半导体激光器芯片的波长、功率、寿命及可靠性，是半导体激光器制作的核心技术之一。
FAB晶圆工艺
FAB Wafer process
FAB晶圆工艺加工是将半导体激光器或其他光电器件外延片加工成激光器芯片的关键加工过程。利用光刻、刻蚀技术在在外延结构上制作微米和纳米级图形，完成半导体激光器等光电器件的横向结构的定义，构造半导体激光器的完整谐振腔和其他光电器件的功能结构。再利用介质膜和金属膜生长等工艺完成半导体激光器等光电器件电流注入电极的制备，完成半导体激光器芯片等光电芯片的制备。
腔面解理钝化技术
Cavity surface passivation treatment equipment and technology
在腔面解理及钝化处理方面，采用超高真空（＜10-10torr）腔面解理钝化工艺，结合无吸收窗口的芯片新结构及工艺，提高了芯片抗腔面光学灾变损伤的功率。
高亮度合束及光纤耦合
High brightness combined beam And fiber coupling
针对大功率半导体激光器光谱质量低、光束质量差、光谱质量低的难题，采用微光学器件和紧凑化设计降低激光器尺寸和体积、采用体光栅和面光栅混合光谱合成技术在保证高输出光束质量的情况下上百倍地提升输出功率、采用面光栅波长锁定技术降低中心波长漂移的同时提升光谱质量、采用高效率光纤耦合技术实现激光柔性传输、提高系统可靠性，通过设计创新性的结构和开发突破性的波长锁定及光谱合成技术，研制高功率、高亮度、高光谱质量的光纤耦合模块。
主要产品
激光芯片
高功率半导体激光芯片，激光雷达与3D传感芯片，高速光通信芯片
器件
光纤耦合模块
976nm，915nm，888nm，878.6nm，808nm
阵列
直接半导体激光器
百瓦级，千瓦级，万瓦级，QCW，特殊波长
配套/其他
焊接头，手持激光焊
应用领域
工业泵浦，激光雷达与3D传感，科学研究，工业加工，激光通信，生物医学
