金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究进展
刘亚东,徐勇,尤立娟,王学峰
陆军防化学院
2024-10-10
选择性较差一直是金属氧化物半导体(MOS)传感器难以攻破的主要技术瓶颈。本文基于单层结构和分层结构两种角度,对目前解决MOS传感器选择性问题的技术途径进行了综述。基于单层结构提出的技术途径,能够在一定程度上提升传感器的选择性,但在实际应用环境下的抗干扰能力等方面存在一 定的未知性和局限性。基于分层结构提出的技术途径,在对气体的响应过程中产生的具有差异性的特征, 可以为传感器对目标气体的准确识别提供可靠依据。但分层结构MOS传感器一致性较难控制、制备技术要求较高、使用寿命相对较短等问题仍需进一步改进和完善。
  • 金属氧化物
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年份: 2024年
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内容目录
  • 引言

  • 1、基于单层气敏膜的技术途径

    • 1.1 温度模式调制

    • 1.2 贵金属的掺杂和修饰

    • 1.3 构建异质结构

    • 1.4 改变材料的维度及形貌

    • 1.5 其他途径

  • 2、分层结构技术途径

    • 2.1 核壳结构

    • 2.2 双层结构

    • 2.3 其他分层结构

  • 3、结论

核心点推荐
  • 金属氧化物半导体气体传感器;选择性;技术途径