基于石英晶体薄膜的压力传感器研究
曹文静,林立男
北京晨晶电子有限公司
2024-10-09
基于石英晶体薄膜,进行了直接键合、AuAu键合、共晶焊和玻璃浆料封接,包括石英晶体—石英晶体、石英晶体—609金属双层封接、石英晶体三层封接、石英晶体—609 金属多层封接。封接漏率低于1 ×10 -13Pa·m3 / s,强度达到了10 MPa,翘曲降到了3 μm。采用石英晶体作为敏感元件,利用MEMS加工工艺制备出带有电极图形石英,通过转接的方式,将石英晶体薄膜封接到609 金属上制成电容压力传感器,测试了不同封接工艺零位漂移,实现了0. 001 ~0. 1 mmHg 低真空度的测量范围,测量范围内精度±0. 6 % 。15天长期零位漂移为0. 8 μmHg,漂移水平为0. 5 % FS。通过在石英晶体上设计“弓”型应力释放结构,采用上述相同工艺制备了电容压力传感器,15天长期零位漂移水平降至0. 06 % FS。
  • 石英晶体
被引用: 4566次
年份: 2024年
下载文档 2.00元
引用
分享
来源期刊
内容目录
  • 引言

  • 1、研制与表征

  • 2、封接工艺路线研究

    • 2.1 工艺路线对封接气密性的影响

    • 2.2 工艺路线对封接区空洞的影响

    • 2.3 工艺路线对封接强度的影响

    • 2.4 工艺路线对封接翘曲的影响

  • 3、性能测试

    • 3.1 长期零位漂移测试

    • 3.2 精度测试

    • 3.3 长期零位漂移的优化

  • 4、结论

核心点推荐
  • 石英晶体;薄膜压力传感器;真空测量;长期零位漂移