不同线宽电流阻挡层的ＧａＮ基ＬＥＤ芯片光电特性研究

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作者：田媛，刘叶锋，陈晓冰，王忠东，闫晓密

广西科技师范学院，普瑞（无锡）研发有限公司

时间： 2024-10-10

发光二极管（ＬＥＤ）由于具有低功耗、小体积、宽光谱范围等优点，被广泛应用于可见光通信、光电医疗、快速无损检测等微系统领域。为了进一步提高ＬＥＤ的发光效率，在图形化蓝宝石衬底上制备了具有不同线宽电流阻挡层（ＣＢＬ）的氮化镓（ＧａＮ）基ＬＥＤ，并研究其光电特性。结果表明，在１２０ｍＡ测试电流作用下，由于ＣＢＬ的插入增大了有源层有效光发射区域的电流密度，减少了ｐ电极（ｐｐａｄ）下的寄生光吸收，ＬＥＤ芯片的辐射功率与光电转换效率随着ＣＢＬ线宽的增加而单调增加，在ＣＢＬ线宽设计为１３ μｍ时，辐射功率与光电转换效率达到最大；正向电压（ＶＦ）随着ＣＢＬ线宽的增加略有增加，表明绝缘的ＣＢＬ层增大串联电阻。本文为ＣＢＬ线宽的选择提供了新思路，可有效提高ＬＥＤ的发光效率。

芯片光电

被引用: 456次

年份: 2024年

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内容目录

引言
1、器件制备
2、结果与讨论
- 2.1 标准ＣＢＬ工艺下不同ＣＢＬ线宽ＬＥＤ的光电特性
- 2.2 不同制备工艺下不同ＣＢＬ线宽ＬＥＤ的光电特性
3、结论

核心点推荐

发光二极管；电流阻挡层；氮化镓；发光效率