圆片级封装中的二次硅-玻璃键合工艺研究
郑雅欣,阮勇 ,祝连庆 ,宋志强 ,吴紫珏
北京信息科技大学
2024-10-10
针对MEMS谐振器真空封装更高的要求,将盖帽硅片、器件硅片(Si)和玻璃衬底通过二次Si—玻璃(DSOG)阳极键合工艺,实现了MEMS谐振器加工的同时,完成MEMS谐振器的6 in圆片级高真空度封装。通过优化两次键合工艺参数,第二次键合温度由第一次键合温度350 ℃调整到380 ℃ ,键合压力分别为800 N(第二次键合)和600 N(第一次键合);优化第二次键合封装密封环的键合面积宽度为700 μm;达到良好的MEMS谐振器封装效果,器件的泄漏速率为3. 85 ×10 -9 Pa·m3 / s。该研究可以有效降低加工成本和工艺难度、提高器件可靠性,满足了MEMS器件对封装密封性的要求,后续可广泛应用到基于DSOG的MEMS谐振器封装工艺中,具有良好的应用前景
  • 圆片级封装
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年份: 2024年
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内容目录
  • 引言

  • 1、整体工艺流程

  • 2、第一次键合关键工艺

  • 3、第二次键合关键工艺

  • 4、气密性检测

  • 5、结论

核心点推荐
  • 微机电系统;圆片级真空封装;玻璃上硅键合封装密封环;二次硅—玻璃键合