武汉普赛斯仪表 PSMT-4000A 半导体测试设备

半导体分立器件静态测试系统

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产品介绍

 

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的最佳工具之一是半导体分立器件静态测试系统,普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

  传感专家

系统特点和优势: 

单台Z大3500V输出; 

单台Z大1000A输出,可并联后Z大6000A; 

15us的超快电流上升沿; 

同步测量; 

国标全指标的自动化测试;


系统指标

传感专家

 


测试项目

集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat

集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges

栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th) 输入电容、输出电容、反向传输电容      

续流二极管压降Vf 

I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等


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