MDT 多维科技 TMR2501 Z轴垂直感应TMR线性传感器
多维科技 Z轴垂直感应TMR线性传感器 TMR2501
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TMR2501
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简介
TMR2501采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件，可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。在-55℃~+150℃范围内，TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2501性能优越，采用两种封装形式：TO94和SSIP4。
应用
（1）磁力计；（2）电流传感器；（3）位置传感器。
特性
（1）隧道磁电阻(TMR)技术；（2）高灵敏度；（3）低功耗；（4）优越的温度稳定性；（5）极低的磁滞；（6）宽工作电压范围
TMR2501 Z轴垂直感应TMR线性传感器技术参数
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| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 饱和场（Oe） | ±1k | |
| 产品型号 | TMR2501 | |
| 兼容型号 | TMR501 | |
| 电阻（kΩ） | 5 | |
| 敏感方向 | Z轴 | |
| 磁滞（Oe） | 1 | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | ～50 | |
| 封装形式 | TO94 SSIP4 | |
| 交付周期 | In stock | |
| 磁阻结构 | 全桥 | |
| 供电电压 | 0～7 V | |
| 敏度（mV/V/Oe） | 0.3 |
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|---|---|---|
| index | 642.50 KB | 下载 |
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