MDT 多维科技 TMR9001 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器
多维科技 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器 TMR9001
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TMR9001
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MDT 多维科技
简介
TMR9001采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个高灵敏度TMR传感器元件。TMR9001性能优越,采用的封装形式:SOP8(6mm×5mm×1.5mm)。
应用
(1)微弱磁场检测;(2)电流传感器;(3)位置传感器;(4)生物医疗;(5)磁通讯
特性
(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)更高灵敏度(~300mV/V/Oe);(3)更低的本底噪声(150pT/√Hz@1Hz);(4)更低功耗;(5)优越的温度稳定性;(6)低的磁滞;(7)宽工作电压范围;(8)不需要置位/复位脉冲电路
TMR9001 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器技术参数
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兼容型号 | — | |
磁阻结构 | 全桥 | |
供电电压 | 0~3 V | |
电阻(kΩ) | 50 | |
饱和场(Oe) | ±4 | |
产品型号 | TMR9001 | |
敏感方向 | X轴 | |
磁滞(Oe) | 0.1 | |
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) | 0.15 | |
封装形式 | SOP8 | |
交付周期 | In stock | |
敏度(mV/V/Oe) | 300 |
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