MDT 多维科技 TMR9002 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器

多维科技 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器 TMR9002

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简介

TMR9002采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个高灵敏度TMR传感器元件。TMR9002性能优越,采用的封装形式:SOP86mm×5mm×1.5mm)。

特性

1隧道磁电阻(TMR)技术;2超高灵敏度(~100mV/V/Oe);3更低的本底噪声(150pT/√Hz@1Hz);4更低功耗;5优越的温度稳定性;6低的磁滞;7宽工作电压范围;8不需要置位/复位脉冲电路

应用

1微弱磁场检测;2电流传感器;3位置传感器;4生物医疗;5磁通讯

TMR9002 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器技术参数

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封装形式 SOP8
交付周期 In stock
产品型号 TMR9002
兼容型号
磁阻结构 全桥
电阻(kΩ) 50
饱和场(Oe) ±8
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) 0.15
供电电压 0~3 V
敏度(mV/V/Oe) 100
敏感方向 X轴
磁滞(Oe) 0.02

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