MDT 多维科技 TMR1155 高压Z轴单极型磁开关

简介

TMR1155是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的单极磁开关。TMR1155采用高精度推挽式全桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1155通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围（5V至40V）。TMR1155以高电压工作、1.5毫安的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1155采用体积小、使用方便可靠的SOT23-3和TO-92S两种封装形式，所对应的产品型号分别为TMR1155S和TMR1155T。

特性

（1）隧道磁电阻 (TMR) 技术；（2）低功耗（<1.5mA）； （3）高频率响应（≥ 100kHz）；（4）单极锁存磁开关；（5）Z轴磁场感应方向与霍尔效应兼容；（6）工作电压达40V并可承受30V反向电压；（7）开漏输出；（8）高灵敏度，低开关点；（9）卓越的温度稳定性；（10）优越的抗外磁场性能；

应用

（1）流量计，包括水表、气表和热量表；（2）固态开关；（3）速度检测；（4）位置检测；（5）电机和风扇控制；（6）电动车窗