MDT 多维科技 TMR1212 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器

简介

TMR1212是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。与常规的磁开关相比，TMR1212 带有磁存储功能，在掉电情况下依然可以探测磁场极性变化，并存储在磁存储单元中，上电后可以立刻读取最近一次的磁场极性状态。TMR1212采用TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。TMR1212通过内部电压稳压器来提供温度补偿电源，并允许宽的工作电压范围。TMR1212以低电压工作、1微安级的供电电流、高响应频率、宽的工作温度范围、优越的抗外磁干扰特性成为众多低功耗、高性能应用的理想选择。TMR1212采用封装形式为SOT23-3和TO92S，所对应的产品型为TMR1212 S和TMR1212T。

应用

（1）计量仪表（水表、气表、热量表）；（2）固态开关；（3）速度检测；（4）线性及旋转位置检测；（5）电梯门机双稳定开关

特性

（1）隧道磁电阻(TMR) 技术；（2）更低功耗1.5μA；（3）1kHz高频率响应；（4）双极锁存型开关；（5）掉电磁存储；（6）宽工作电压范围；（7）卓越的温度稳定性；（8）优越的抗外磁场性能