武汉普赛斯仪表 武汉普赛斯 半导体测试设备

功率半导体器件CV测试系统CV测试仪概述

电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS  CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V   曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。

系统方案

普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR   表支持的测量频率范围在 0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。

进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz   之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。

功率半导体器件CV测试系统CV测试仪优势  

频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调；  

高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；  

内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-  电压），C-T（电容- 时间），C-F（电容 -  频率）等多项测试测试功能;    

兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；  

实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；  

扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配；    

更多有关功率半导体器件CV测试系统CV测试仪详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六