Texas Instruments 德州仪器 DRV5015A3QDBZR 板机接口霍耳效应/磁性传感器

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Texas Instruments DRV5015/DRV5015-Q1数字锁存霍尔效应传感器是低压数字锁存霍尔效应传感器,专为高速和高温电机应用而设计。该器件由2.5V至5.5V电源供电,可以感应磁通量密度并根据预定义的磁性阈值显示数字输出。必须交换北极和南极磁极才能切换输出,集成的磁滞能够提供稳定可靠的切换。该器件具有两个磁性阈值选项和一个反相输出选项。高磁性灵敏度可提供低成本磁体选择和组件放置灵活性。DRV5015-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证。

DRV5015A3QDBZR 板机接口霍耳效应/磁性传感器技术参数

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RoHS Y
产品 Hall Effect Latches
类型 Digital-Latch Hall Effect Sensor
说明 板机接口霍耳效应/磁性传感器 2 mT, 5.5 V Hall Effect Latch 3-SOT-23 -40 to 125
寿命周期 新产品: 此制造商的新产品。
最大工作温度 + 125 C
最小工作温度 - 40 C
封装 / 箱体 SOT-23-3
封装 Reel
系列 DRV5015
灵敏度 1.8 mT
商标 Texas Instruments
安装风格 SMD/SMT
工作电源电流 2.3 mA
工作电源电压 2.5 V to 5.5 V
工厂包装数量 3000
电源电压-最大 5.5 V
电源电压-最小 2.5 V
输出类型 Open Drain
子类别 Sensors
端接类型 SMD/SMT
产品类型 Hall Effect / Magnetic Sensors
输出电压 5.5 V

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