产品介绍
SJT4793NF NPN型硅三极管采用士兰微电子平面三极管工艺技术制造，多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT4793NF具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。
该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级或驱动级，具有线性范围宽、失真度低的特点。
SJT4793NF三极管目前可提供TO-220F-3L封装外形。
与SJT4793NF配对的互补PNP管：SJT1837PF。
主要特点
较高的击穿电压余量。
非常低的漏电电流。
高输出功率：20W；
较高的二次击穿耐量和可靠性。
封装外形图
TO-220F-3L
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