Silan 士兰微 3VD582600YH 高压MOSFET芯片

3VD582600YH

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3VD582600YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管;

先进的高压分压终止环结构;

较高的雪崩能量;

漏源二极管恢复时间快;

该芯片可采用TO-220形式封装,典型的成品规格为20N60

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压HPWM马达驱动。


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