Silan 士兰微 3VD579200YH N沟道增强型MOSFET芯片
3VD579200YH
分享
-
登录 后询价或查看价格
-
3VD579200YH
-
Silan 士兰微
-
请咨询供应商
-
Silan 士兰微
产品介绍
3VD579200YH为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管；
较高的雪崩击穿耐量；
优越的开关性能；
该芯片可采用TO-220形式封装，典型的成品规格为SVD260；
封装后的成品广泛应用于功率电源，电源逆变器。
产品替代
找到 个替代产品
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
