Silan 士兰微 3VD484600SYH-8 高压MOSFET芯片

3VD484600SYH-8

分享
  • 后询价或查看价格

  • 3VD484600SYH-8

  • 高压MOSFET芯片

  • Silan 士兰微

  • 请咨询供应商

  • Silan 士兰微

联系销售
专家支持

3VD484600SYH-8为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管;

采用士兰DPMOS工艺平台制造;

较低的导通电阻;

较低的传导损耗和开关损耗;

开关速度快;

封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,照明等领域。


产品替代

找到 个替代产品

其它电子元器件交流圈

约5圈友等你加入

    加载中···

    高压MOSFET芯片同类产品

    加载中···

    专家支持

    0 / 300

    选择图片

    确定提交

    提交成功

    系统自动将您的问题推送给专家解答

    查看专家解答
    请扫码进入传感圈小程序

    如何查看专家解答您的问题?

    1
    2
    3
    4