Silan 士兰微 2ES060067R4PJLSC1 四通道超低电容瞬态电压抑制芯片

2ES060067R4PJLSC1

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2ES060067R4PJLSC1是利用先进的硅电路工艺生产的4通道电压轨钳位型超低电容瞬态电压抑制芯片,适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形;

输入端对地不大于1.2pF的超低电容结构;

低钳位电压;

快速的响应速度;

低漏电流(< 1μA);

适合于高速数据传输线的ESD保护;

IEC61000-4-2(ESD) :±15kV(空气放电)±10kV(接触放电)。


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