产品介绍
分子束外延薄膜生长设备-MBE
利用该设备可以在衬底材料上实现各种材料薄膜的外延生长工艺,实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。
分子束外延薄膜生长设备在薄膜外延生长时具有超高的真空环境,是在理想的环境下进行薄膜外延生长,它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素,得到理想的高精度薄膜。
我公司设计制造的小型分子束外延薄膜生长实验设备,配置合理,结构相对简单,技术先进,性能可靠,用途多,实用性强,价格相对较低,可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。
可实现第二代半导体(如砷化镓等)和第三代半导体(如碳化硅和氮化镓)的外延生长。
本项目于2005年在国内率先完全自主研发全国产化的MBE设备,做到了自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)等核心部件。
经过十几年的工艺探索,设备设计不断升级,已具备设计制造生产型高性能多腔体MBE设备的能力。
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分子束外延设备(MBE) 机械手资源附件
文件名称 | 大小 | 操作 |
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鹏城半导体技术(深圳)有限公司 2021 | 7.09 MB | 下载 |
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