SVG105R4NT(S)
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低压MOS功率管
Silan 士兰微
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深圳晶茂集成电路
产品介绍
SVG105R4NT(S) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
主要特点
120A,100V,RDS(on)(典型值)=5.0mΩ@VGS=10V
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
封装外形图
TO-263-2L
TO-220-3L
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