SVS11N65FJHE2
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超结MOS功率管
Silan 士兰微
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深圳晶茂集成电路
产品介绍
SVS11N65FJHE2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS11N65FJHE2应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
主要特点
11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
封装外形图
TO-220FJH-3L
产品替代
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