产品介绍
3VD517040YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型MOS功率场效应晶体管;
较高的雪崩击穿耐量;
优越的开关性能;
该芯片可采用TO-220形式封装,典型的成品规格为SVD1404;
封装后的成品广泛应用于功率电源,电源逆变器。
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