SJT0281NPN NPN型低频大功率管采用士兰微电子先进的硅平面工艺制造，三重扩散、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0281NPN具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。

该产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。

SJT0281NPN三极管采用TO-3P封装外形。

与SJT0281NPN配对的互补PNP管：SJT0302PPN。

主要特点

• 较高的击穿电压余量。

• 非常低的漏电电流。

• 高输出功率：150W；

• 较高的二次击穿耐量和可靠性。

  
  

封装外形图

TO-3P