SVT035R5NSA  N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

主要特点

• 21A，30V，R_{DS(on)(典型值)}=4.0mW@V_GS=10V

• 低栅极电荷量

• 低反向传输电容

• 开关速度快

• 提升了dv/dt能力

封装外形图

SOP-8-225-1.27