产品介绍
半固态膏状聚硅氮烷TC-P21产品说明书
电子领域使用薄膜材料
产品特征
淡黄色膏状
90-120℃可熔融，180-350℃热固化（不再软化）, 紫外光（200-350nm）可固化，激光可陶瓷化
易溶于正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃、乙酸乙酯等非质子有机溶剂。
可添加填料，与许多基体粘合良好
陶瓷化温度T≥800℃，高陶瓷产率 ＞70%，高温稳定性优异
TC-P21是专为电子领域产品耐高温涂层设计的一种固体聚硅氮烷树脂，其低分子量组分含量很低，经热解可获得很高的陶瓷产率。TC-P21可溶解在非质子溶剂中配制成涂料，建议质量浓度不高于10%，在金属、硅、塑料、陶瓷等基材上涂覆成膜，涂覆方式可以是浸凃、喷涂、旋涂。涂层厚度既可以通过浓度控制，也可以通过操作控制。涂料中可以加入活性或者惰性填料，涂层的性能可以由填料调控。TC-P21的溶液可以作为粘合剂层使用。
产品应用
TC-P21是一种可用的前驱体聚合物，可用干燥的非质子溶剂（烷烃、芳香族碳氢化合物、酯）溶解或用添加剂或填料（颜料、金属或陶瓷粉末等）改性。根据性能需要可以配制不同浓度不同填料含量的涂料。
TC-P21可在180℃-450℃热固化，在200-350nm紫外光照射下可以光固化。每种情况的固化条件（光强，温度、时间、气氛）都必须适合于基体的几何形状和组成。加入的添加剂或填料会影响固化条件。
TC-P21在800℃以上热裂解可以转化成无定形Si/C/N材料，这种材料在更高的温度（>1400℃）会结晶成SiC/Si3N4/C纳米复合材料。热解后得到的材料在峰温1450℃保持稳定，其与性能相关的性质如相组成、密度和机械性质极大的取决于操作和热解条件。
3. 技术数据
外观：淡黄色膏状 聚合物含量：100%
熔融温度：90-120℃ 固化：180~350℃，紫外光（200-350nm）
陶瓷化：激光（1064nm）
溶解性：溶于正己烷、甲苯、乙酸乙酯、四氢呋喃、二氯甲烷等有机溶剂
保质期：低温密封干燥保存24个月。
使用说明
只有经专业训练的人员才可使用本产品
TC-P21对水分轻微敏感，可以在空气中操作。
加工
TC-P21可用于制备各种电子器件涂层，既可以做光刻胶，也可以做封装材料。
TC-P21可配制成1-10wt%的溶液，其涂层（<1μm厚度）如果在不耐高温的聚合物基材上，可以在空气中用无极紫外灯/真空紫外光源照射1-2分钟可固化成膜。
TC-P21制备的薄膜在空气、氮气、氩气、氢气、氨气或真空中1000℃热解可转化为无定形的Si/C/N材料。1000℃TC-P21失重量约为29%（惰性气体中），同时其密度和硬度会加倍，在更高的温度下（>1400℃）材料会结晶成Si3N4/SiC/C纳米复合材料。固化或热解过程中TC-P21材料性质的变化取决于所用气氛。SiCN的氧化的抛物线速率常数kp=1.1×10-18到3.8×10-18m2/s，与CVD和PVD的SiC相当。
SiCN陶瓷（1000°C，Ar气中裂解的）的室温电导率：~10-12Ω-1•cm-1
SiCN陶瓷（1300℃，N2气中裂解的）的室温电导率：4×10-7Ω-1•cm-1
SiCN陶瓷（1300℃，空气中裂解的）的室温电导率：1.5×10-7Ω-1•cm-1
SiCN陶瓷的电导率呈现Mott的变程跳跃(VRH)特征，这是典型的半导体特征。
应用
TC-P21是一种负型光刻胶，可以制备几个纳米厚度薄层介电层，是一种玻璃化温度高达1500℃的树脂材料，是在耐温性和高宽比方面比SiC更先进的一代半导体材料，可用于制备耐高温1500℃的电子传感器。
SiC 的CVD技术耗时且昂贵， 耐高温却难以达到高纵横比。SiCN陶瓷既可以耐高温又可以达到高纵横比， 而且成膜工艺简单且便宜。CVD的平面特性阻止了复杂的三维结构的制造，SiCN却可以方便地做复杂三维多层结构。
安全说明
操作过程中需佩戴耐溶剂手套（如丁基胶手套或丁腈胶手套）
使用合适的护眼设备（安全护目镜或防护面具）
TC-P21需远离儿童，于阴凉（＜25℃）干燥处储存
产品存放与废物处理
TC-P21存放在阴凉（＜25℃）干燥处。
可以用有机溶剂（如正己烷、THF）除掉周边未固化残留的TC-P21，固化或热解后形成的材料不溶于有机溶剂，TC-P21污染的加工设备使用后应立即清洗。
含TC-P21的废弃物不能和含质子物质（如：水）混合，必须在适宜的处理地点处理废弃物。
技术服务
我们的技术部门可解答性能、使用和化学规格方面的技术问题。
所有的技术信息都是基于实际经验的，实际条件改变时不能原封照搬，用户需自行进行试验，由于产品的使用已超出我们的管理范畴，所以我们只尽责保证产品始终如一的品质。
产品替代
