产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:表压 |
工作压力量程:10 psi |
爆裂压力:30 psi |
工作温度:-55 to 125 C |
满量程输出:70 to 90 mV |
灵敏度:13.3±4 mV/psi |
Input Resistance:4 to 7 kohms |
Insulation Resistance (signal Line To Housing) :100 Mohms |
Mechanical Shock:20 g |
Null Voltage:零位电压 |
Output Resistance:4 to 7 kohms |
Resonant Frequency:180 kHz |
Sinusoidal Vibration:100 g |
产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:表压 |
工作压力量程:50 psi |
爆裂压力:150 psi |
工作温度:-55 to 85 C |
满量程输出:70 to 90 mV |
灵敏度:4.0±0.8 mV/psi |
Input Resistance:4 to 7 kohms |
Insulation Resistance (signal Line To Housing) :100 Mohms |
Mechanical Shock:20 g |
Null Voltage:-5 to 5 mV |
Output Resistance:4 to 7 kohms |
Resonant Frequency:320 kHz |
Sinusoidal Vibration:100 g |
产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:绝压 |
测量介质:气体 |
工作压力量程:0 to 120 kPa |
过载压力:360 kPa |
精度:0.1 ±% FS |
工作温度:-40 to 85 C |
储存温度:-40℃~125℃ |
长期稳定性:±0.1 |
桥臂电阻:0.6to2.5kΩ 典型值1.55kΩ |
满量程输出:100-160mV |
额定电压:10 VDC |
供电电压:2.5 VDC-15 VDC |
温度补偿范围:25℃~85℃ |
温度漂移:-0.24to-0.155FSS/oC典型值-0.21FSS/oC |
零点输出:-50to50mV 典型值0mV |
产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:差压 |
工作压力量程:0 to 5 Bars |
过载压力:7 Bars |
测量介质:气体 |
非线性度:0.1 ±% Full Scale |
压力迟滞:0.1 ±% Full Scale |
重复性:0.5 ±% Full Scale |
工作温度:-40 to 85 C |
储存温度:-40℃~125℃ |
桥臂电阻:2.8to3.8kΩ 典型值3.3kΩ |
满量程输出:60-140mV |
长期稳定性:±0.1 |
额定电压:5 VDC |
供电电压:10 VDC max |
温度补偿范围:25℃~85℃ |
温度漂移:-0.21to-0.17FSS/oC典型值-0.2FSS/oC |
零点输出:-50to50mV 典型值0mV |
产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:差压 |
测量介质:气体 |
工作压力量程:0 to 5 Millibars |
过载压力:250 Millibars |
爆裂压力:500 Millibars |
精度:0.05 ±% FS |
工作温度:-40 to 85 C |
储存温度:-40℃~125℃ |
满量程输出:10-20 mV |
额定电压:12VDC |
供电电压:16VDC max |
桥臂电阻:1.5kΩ |
温度补偿范围:0 to 50 C |
时漂:±80μV |
零点输出:-50to50mV 典型值0mV |
产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:差压 |
测量介质:气体 |
工作压力量程:0 to 50 Millibars |
过载压力:750 Millibars |
爆裂压力:1200 Millibars |
精度:0.05 ±% FS |
工作温度:-40 to 85 C |
储存温度:-40℃~125℃ |
满量程输出:20-40 mV |
额定电压:12VDC |
桥臂电阻:1.5kΩ |
供电电压:16VDC max |
温度补偿范围:0 to 70 C |
时漂:±100μV |
零点输出:-50to50mV 典型值0mV |
产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:差压 |
测量介质:气体 |
工作压力量程:0 to 75 Millibars |
过载压力:1200 Millibars |
爆裂压力:2000 Millibars |
精度:0.05 ±% FS |
工作温度:-40 to 85 C |
储存温度:-40 to 125 C |
桥臂电阻:1.5kΩ |
满量程输出:20-40 mV |
额定电压:12VDC |
供电电压:16 VDC max |
温度补偿范围:0℃~70℃ |
时漂:±100μV |
零点输出:-50to50mV 典型值0mV |
产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:差压 |
测量介质:气体 |
工作压力量程:0 to 700 kPa |
过载压力:2800 kPa |
非线性度:0.05 ±% Full Scale |
压力迟滞:0.01 ±% Full Scale |
重复性:0.01 ±% Full Scale |
储存温度:-40 to 125 C |
工作温度:-40 to 85 C |
长期稳定性:±0.1 |
额定电流:1.5 mA |
满量程输出:75-125mV |
桥臂电阻:5 |
响应时间:100μsec |
供电电流:2 mA |
温度补偿范围:25 to 85 C |
零点输出:-50 to 50 mV |
产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:绝压 |
测量介质:气体 |
工作压力量程:0-15 psi |
爆裂压力:45 psi |
精度:0.5 ±% FS |
工作温度:-40 to 260 C |
桥臂电阻:0.5~1.5 kΩ |
额定电压:10 VDC |
灵敏度:20±6 mV/psi |
最大电压:12 VDC |
产品类别:敏感芯片 |
测量技术:半导体压阻 |
压力类型:绝压 |
测量介质:气体 |
工作压力量程:0 to 50 psi |
爆裂压力:150 psi |
精度:0.5 ±% FS |
工作温度:-40 to 260 C |
桥臂电阻:0.5~1.5 kΩ |
额定电压:10 VDC |
灵敏度:6±2 mV/psi |
最大电压:12 VDC |
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