Silan 士兰微
成为最优秀的半导体集成电路设计与制造企业之一士兰微始于1997杭州士兰微电子股份有限公司(600460)坐落于杭州高新技术产业开发区,是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月,总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易,是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。得益于中国电子信息产业的飞速发展,士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。士兰微电子建在杭州钱塘新区的集成电路芯片生产线目前实际月产出达到22万片,在小于和等于6英寸的芯片制造产能中排在全球第二位。公司8英寸生产线于2015年开工建设,2017年投产,成为国内第一家拥有8英寸生产线的IDM产品公司,2020年实际月产能达到5~6万片。2018年,公司12英寸特色工艺晶圆生产线及先进化合物半导体器件生产线在厦门开工建设。2020年,士兰化合物半导体生产线正式投产,士兰12英寸芯片生产线开始试产。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域,在多个技术领域保持了国内领先的地位,如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累,为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。公司目前的产品和研发投入主要集中在以下三个领域:基于士兰芯片生产线高压、高功率、特殊工艺的集成电路、功率模块(IPM/PIM)、功率器件及(各类MCU/专用IC组成的)功率半导体方案MEMS传感器产品、数字音视频和智能语音产品、通用ASIC电路光电产品及LED芯片制造和封装(含内外彩屏和LED照明)士兰微荣获多项荣誉士兰微电子注重研发的投入和技术的积累,现已拥有国内一流的设计研发团队和国家级博士后科研工作站,拥有集成电路芯片设计研发人员近400人,芯片工艺、封装技术、测试技术研发队伍等超过2000人,研发队伍中拥有博士、硕士超过400人。公司陆续承担了国家科技重大专项、科技部“863”计划、国家发改委高技术产业化、杭州市重大科技创新专项等项目。公司连续多年入围“中国十大集成电路设计企业”、“中国软件业务收入前百家企业”、“十大中国IC设计公司品牌”,被评为“中国十强半导体企业”、“全国五一劳动奖状”、“浙江省专利示范企业”、“浙江省名牌产品”等荣誉称号。公司研发项目多次荣获国家技术发明奖二等奖、国家科技进步奖二等奖、中国半导体创新产品和技术、浙江省科学技术进步一等奖、杭州市科技进步一等奖等奖项。 诚信、忍耐、探索、热情士兰微电子秉承“诚信、忍耐、探索、热情”的核心理念,以不断发展的电子信息产品市场为依托,抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇,设计与制造并举,强化投入,持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力,扩大产业基础,为成就国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力,并向国际知名品牌的集成电路企业迈进!主要分子公司士兰半导体制造事业总部杭州士兰集成电路有限公司杭州士兰集昕微电子有限公司杭州士兰明芯科技有限公司成都士兰半导体制造有限公司成都集佳科技有限公司厦门士兰集科微电子有限公司厦门士兰明镓化合物半导体有限公司MEMS产线(IDM)-6&8英寸杭州士兰微1997年成立,是国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。自2010年开始,士兰微电子投入大量资金,通过对加速度传感器、地磁传感器、压力传感器等一系列传感器产品的开发,在6吋、8吋芯片生产线上实现了批量制造能力,并建立自己的MEMS封测生产线,初步走通了系列传感器的IDM发展之路,已申请相关发明专利百余项。目前士兰微MEMS传感器产品系列丰富,有:MEMS加速度计、三轴AMR磁传感器、六轴惯性传感器、高性能MEMS麦克风、数字三合一传感器、心率传感器、高性能气压压力传感器等。士兰微是中国MEMS十强企业之一,据其2022上半年度报告披露,2022 年上半年,公司 MEMS 传感器产品的营业收入达到 1.5 亿元,较上年同期增加 7.8%。
  • Silan 士兰微 SD45237 汽车应用的限流可调、降压型DC-DC控制器

    SD45237是一款微型MSOP-10封装、可调限流的DC-DC控制芯片,用于驱动外部N沟道MOSFET实现降压转换。芯片内部包括误差放大器、振荡器、电流比较器、斜坡补偿、电流采样、逻辑驱动等模块,电流误差放大器的内部集成,使得该芯片可以实现恒压恒流控制。峰值电流模式的PWM控制环路以及补偿网络的外部可调,使该芯片可在宽负载范围内提供稳定的输出电压;电流采样端的引出,通过设定采样电阻值,可以简单、精确地实现限流值的外部调节。内部峰值限流以及短路保护、过温保护避免了芯片以及外部器件在超负荷负载或者温度过热时受到损坏;120KHz的频率以及微型MSOP-10封装,最大限度的减小了整体解决方案的占板面积。
  • Silan 士兰微 SD45232 汽车应用的限流可调、高效降压型DC-DC转换器

    SD45232是一款微型SOP8封装、高效率、可调限流的降压型DC-DC转换芯片。芯片内部包括误差放大器、振荡器、电流比较器、斜坡补偿、电流采样、逻辑驱动等模块,电流误差放大器的内部集成,使得该芯片可以实现恒压恒流制。峰值电流模式的PWM控制环路以及补偿网络的外部可调,使该芯片可在宽负载范围内提供稳定的输出电压;电流采样端的引出,通过设定采样电阻值,可以简单、精确的实现限流值的外部调节。导通电阻60mW的MOSFET的内部集成,提供了高的转换效率;内部3.5A的限流值以及短路保护、过温保护避免了芯片在超负荷负载或者温度过热时受到损坏;120KHz的高频率以及微型SOP-8封装,最大限度的减小了整体解决方案的占板面积。
  • Silan 士兰微 SD45237 汽车应用的限流可调、降压型DC-DC控制器

    SD45237是一款微型MSOP-10封装、可调限流的DC-DC控制芯片,用于驱动外部N沟道MOSFET实现降压转换。芯片内部包括误差放大器、振荡器、电流比较器、斜坡补偿、电流采样、逻辑驱动等模块,电流误差放大器的内部集成,使得该芯片可以实现恒压恒流控制。峰值电流模式的PWM控制环路以及补偿网络的外部可调,使该芯片可在宽负载范围内提供稳定的输出电压;电流采样端的引出,通过设定采样电阻值,可以简单、精确地实现限流值的外部调节。 内部峰值限流以及短路保护、过温保护避免了芯片以及外部器件在超负荷负载或者温度过热时受到损坏;120KHz的频率以及微型MSOP-10封装,最大限度的减小了整体解决方案的占板面积。
  • Silan 士兰微 SD45232 汽车应用的限流可调、高效降压型DC-DC转换器

    SD45232是一款微型SOP8封装、高效率、可调限流的降压型DC-DC转换芯片。芯片内部包括误差放大器、振荡器、电流比较器、斜坡补偿、电流采样、逻辑驱动等模块,电流误差放大器的内部集成,使得该芯片可以实现恒压恒流控制。峰值电流模式的PWM控制环路以及补偿网络的外部可调,使该芯片可在宽负载范围内提供稳定的输出电压;电流采样端的引出,通过设定采样电阻值,可以简单、精确的实现限流值的外部调节。导通电阻60mW的MOSFET的内部集成,提供了高的转换效率;内部3.5A的限流值以及短路保护、过温保护避免了芯片在超负荷负载或者温度过热时受到损坏;120KHz的高频率以及微型SOP-8封装,最大限度的减小了整体解决方案的占板面积。
  • Silan 士兰微 SD4943 150V 非隔离DC-DC转换器

    SD4943是用于开关电源的内置150V 高压MOSFET的DC-DC控制器。SD4943内置高压启动以及自供电功能,可满足快速启动以及低待机功耗的要求。具有自适应降频功能,可进一步优化轻载条件下的转换效率。具有软启动功能,能够减小器件的应力,有效防止启动时电感饱和。SD4943内部还集成了各种异常状态的保护功能,包括:VDD欠压保护,输出过载保护,输出过压保护,过温保护等。触发保护后,电路会不断自动重启,直到系统正常工作为止。
  • Silan 士兰微 SD4954B 兼容IEEE 802.3AF标准的PD和DC/DC控制器

    SD4954B是一款兼容IEEE 802.3af标准的PD以及DC/DC控制器。该芯片的PD控制器部分为以太网供电系统(Power over Ethernet, PoE)中的受电设备提供了检测、分级和浪涌限流等功能,其内部集成了耐压100V导通阻抗0.6Ω的功率MOSFET,内置限流保护、欠压保护和过热保护。DC/DC控制器部分内置200V开关MOSFET,采用副边控制(SSR)方式,适用于Flyback拓扑和buck拓扑,提供精确的恒压控制环路,具有较高的系统效率和良好的EMI特性。
  • Silan 士兰微 SD4952B 兼容IEEE 802.3AF标准的PD和DC/DC控制器

    SD4952B是一款基于IEEE 802.3af标准的PD以及DC/DC控制器。该芯片的PD控制器部分为以太网供电系统(Power over Ethernet, PoE)中的受电设备提供了特征电阻检测、功率分级和浪涌限流等功能,其内部集成了耐压100V导通阻抗0.6Ω的功率MOSFET,内置限流保护、欠压保护和过热保护。DC/DC控制器部分内置200V功率MOSFET,采用原边控制(PSR)方式,适用于Flyback拓扑,提供精确的恒压控制环路,工作于PWM+PFM模式,具有较高的系统效率和良好的EMI特性。

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