SK海力士日前宣布，已开始大规模批量生产新一代HBM2E DRAM内存/显存芯片，距离去年8月首次提出这一规格只有10个月的时间。SK海力士的HBM2E具备大容量、高速度、低功耗的特点，利用TSV硅穿孔技术垂直堆叠八颗16Gb（2GB）芯片，从而做到单颗容量16GB，是上代HBM2的两倍，理论上更是可以做到十二颗堆叠、单颗单颗容量24GB。

　　HBM2每个堆栈的数据率高达3.6Gbps（可理解为等效频率3.6GHz），搭配1024-bit I/O，带宽可以轻松做到460GB/s，电压则维持HBM2 1.2V的水平。

　　如果使用四颗组合，总容量就是64GB，总位宽为4096-bit，总带宽则超过1.8TB/s。

　　这样的规格是GDDR6望尘莫及的。

　　SK海力士表示，HBM2E可广泛应用于工业4.0、高端GPU显卡、高性能超级计算机、机器学习、AI人工智能等各种尖端领域。

　　在历史上，SK海力士也是第一个搞定了HBM，并由AMD显卡首发，最初搭载于R9 390X。

　　三星也在积极准备HBM2E，美光则模糊地表示会在年底之前推出新一代HBM。