IT之家 12 月 12 日消息，国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202212/441564.htm面向储能逆变器市场，国星光电 NS62m 功率模块新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模块的电流密度以及开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸，最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。
国星光电 NS62m 功率模块采用标准型封装，半桥拓扑设计，内置 NTC 热敏电阻，可实现温度监控；采用 62mm 尺寸标准基板和接口，可兼容行业内各大主流产品，实现快速替换使用；具有 150℃的连续工作温度 (Tvjop) 和优秀的温度循环能力，器件可靠性表现卓越。
NS62m 功率模块以半桥电路结构应用于逆变器中。在实际应用中，一般会以 2 个或 3 个 NS62m 功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑，将直流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于 NS62m 功率模块内 SiC MOSFET 的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能，因此在无需额外搭配二极管器件，更可满足多数场景下的续流要求。
如图中橙色框图部分所示，每个框图代表一个 NS62m 功率模块，此图为 2 个 NS62m 功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑。
NS62m 功率模块在工作时可达到更高的开关频率、更低的开关损耗，同时，可帮助变换器系统效率的提升和散热结构成本的降低。
IT之家获悉，根据实验数据可得，与市场同等电流规格的产品对比，NS62m 功率模块动态特性开通延迟时间减少 79 纳秒；上升时间减少 42 纳秒；关断延迟时间减少 468 纳秒。开启损耗降低 82%，关断损耗降低 92%，整体开关损耗表现优秀。
针对传统工控、储能逆变、充电桩等应用领域的需求，国星光电 NS62m SiC MOSFET 模块系列型号丰富，可供选择。依托国星光电先进的第三代半导体器件生产线，公司可响应不同封装及规格的 SiC 功率模块定制开发需求，为客户提供高质量的定制化产品服务。
