集微网消息，近日，中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新，研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。
中国电科消息称，在750V碳化硅功率芯片项目中，双方技术团队从结构设计、工艺技术、材料应用维度开展联合攻关，推动碳化硅功率芯片技术达到国际先进水平。目前，已进入产品级测试阶段。
而在2in1碳化硅功率模块项目中，双方技术团队围绕新结构、新工艺、新材料开展联合攻关，实现芯片衬底与外延材料制备、芯片晶圆设计与生产、封装结构设计、塑封工艺开发与模块试制等关键环节全流程自主创新，为碳化硅功率半导体设计与生产全自主化、全国产化打下基础。
未来，55所将持续强化产业链上下游联合攻关，推动碳化硅功率器件及模组关键核心技术自主创新；今年初，中国电科46所也成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶。当时消息指出，该成果系“国内第一”且“达到国际最高水平”。（校对/赵碧莹）