三星电子近日宣布其3纳米(GAA)工艺正式进入商业量产阶段。同时，三星还透露了首家客户以及将采用该工艺的LM2903D芯片型号。
三星3纳米GAA工艺是一种新一代的半导体制造工艺，它采用了全新的Gate-All-Around(全环绕栅极)结构，相比传统的FinFET工艺，具有更高的性能和更低的功耗。
据三星表示，3纳米GAA工艺相比7纳米工艺，可以提供30%的性能提升，或者降低50%的功耗。这使得该工艺非常适合用于高性能计算、人工智能、5G通信等领域的芯片制造。
首先，三星透露了该工艺的首个客户为英特尔。英特尔是全球领先的半导体制造商，此次选择三星的3纳米GAA工艺，意味着英特尔对该工艺的技术实力和市场前景充满信心。
同时，三星还公布了将采用3纳米GAA工艺的首个芯片型号为Exynos 9955。Exynos是三星自家的移动处理器品牌，该芯片将用于三星旗下的高端智能手机产品，预计将在明年上市。
据悉，Exynos 9955芯片将采用三星最新的亚纳米级工艺，配备了超过10亿个晶体管，可为用户提供卓越的性能和低功耗的体验。该芯片将支持5G通信、人工智能计算、多媒体处理等多种功能，并有望在市场上与高通骁龙处理器等竞争。
此外，三星还透露了其3纳米GAA工艺的一些技术细节。该工艺采用了新的栅极材料和绝缘层材料，以提高晶体管的效能和可靠性。此外，三星还采用了革命性的垂直晶体管结构，进一步提高了芯片的性能和功耗。
三星表示，目前已经投资了超过2亿美元用于3纳米GAA工艺的研发和设备投资，以确保工艺的高效和稳定的量产。预计在未来几年内，三星将继续加大对3纳米GAA工艺的研发和投资力度，以满足市场对高性能、低功耗芯片的需求。
总之，三星的3纳米GAA工艺正式进入商业量产阶段，首家客户为英特尔，首个芯片型号为Exynos 9955。该工艺具有高性能和低功耗的特点，适用于高性能计算、人工智能、5G通信等领域的芯片制造。三星表示将继续加大对该工艺的研发和投资力度，以满足市场需求。