据中电化合物官微消息，10月31日，中电化合物顺利完成客户首批次8吋SiC外延片产品的交付。
据悉，8吋相比6吋面积增加78%，可较大幅度降低碳化硅器件成本，为进一步推进碳化硅材料的降本增效提供有力支持。技术指标上，8吋SiC外延片厚度均匀性可实现≤3%、掺杂浓度均匀性≤5%、表面致命缺陷≤0.5/cm²。8吋外延产品的顺利交付，标志着中电化合物的外延产品迈上一个新的台阶，可为行业提供更为领先的技术支持，推动碳化硅行业更加快速发展。
据了解，中电化合物自2019年11月成立以来，自主研发、生产的6吋碳化硅晶锭、衬底片和外延片早已实现稳定量产，如今在8吋碳化硅产品的研发和生产上也获得了重大进展。