随着数据中心和人工智能等应用的快速发展，高性能存储需求也在不断增加。高带宽内存（HBM）作为一种新型的存储技术，能够提供高速的数据访问和低功耗的特性，因此受到了广泛的关注和应用。然而，传统的封装技术往往无法满足HBM的需求。
传统的封装技术主要采用通过金线或球限位封装（wire-bond or flip-chip）的方式来连接STM32F103T8U6芯片和封装基板。这种封装方式的主要问题是信号传输的带宽受限，无法满足HBM的高速数据传输需求。此外，由于芯片和封装基板之间的连接长度较长，会导致信号传输的延迟增加，从而影响系统的性能。
为了解决这个问题，业界开始探索新的封装技术，以满足HBM的需求。其中一种被广泛应用的技术是CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）。台积电是该技术的主要供应商，但由于其生产能力有限，无法满足市场的需求。
台积电CoWoS供不应求，三星发力3D封装
由于台积电CoWoS供不应求，三星电子开始发力3D封装技术。3D封装技术可以实现多个芯片的垂直堆叠，从而提高封装密度和性能。三星电子已经在其高端产品中采用了3D封装技术，并计划进一步推广应用。
3D封装技术可以通过将多个HBM芯片堆叠在一起，实现更高的存储容量和带宽。此外，3D封装技术还可以减少信号传输的长度，从而降低传输延迟，提高系统性能。三星电子在3D封装技术方面有着丰富的经验和技术积累，因此有望在HBM市场上取得竞争优势。
SAINT探索HBM新存储集成方案
除了3D封装技术，还有其他公司在探索HBM的新存储集成方案。例如，SAINT（Silicon Access Integrated Network Technology）公司正在研发一种基于硅互连技术的HBM存储集成方案。
SAINT的HBM存储集成方案基于硅互连技术，可以将HBM芯片和处理器芯片集成在一起，从而实现更高的集成度和性能。该方案可以通过硅互连技术实现高速的信号传输和低延迟的访问，从而提高系统的性能。SAINT的HBM存储集成方案还可以减少封装和连接的复杂性，降低生产成本。
SK海力士应用扇出封装寻找跳过TSV的降本之路
在HBM的封装技术中，通过通过硅通孔（Through Silicon Via，TSV）来连接芯片和封装基板。然而，TSV技术的制造成本较高，限制了HBM在一些低成本应用中的广泛应用。
为了降低成本，SK海力士开始应用扇出封装（fan-out packaging）技术，以寻找跳过TSV的降本之路。扇出封装技术可以实现多个芯片的直接连接，而无需通过TSV来实现。这种封装方式可以减少制造成本，提高生产效率。
SK海力士通过扇出封装技术提供了一种低成本的HBM封装解决方案。该解决方案可以实现高速的信号传输和低延迟的访问，从而满足HBM的性能需求。此外，扇出封装技术还可以提供更高的封装密度，从而满足存储容量的需求。
总结
传统的封装技术无法满足HBM的高速数据传输需求，因此业界正在探索新的封装技术。其中，三星电子通过3D封装技术和SAINT通过硅互连技术，正在寻找满足HBM需求的新存储集成方案。此外，SK海力士应用扇出封装技术，以降低HBM的制造成本。这些新的封装技术有望推动HBM技术在数据中心和人工智能等领域的广泛应用。