SK 海力士准备首次将2.5D 扇出（Fan out）封装作为下一代内存技术。根据业内消息，SK海力士准备在HBM后下一代DRAM中整合2.5D扇出封装技术。
韩媒BusinessKorea报道称，这种技术将两个DRAM芯片横向排列，再像芯片一样组合，因为芯片下面没添加基板，能使芯片更薄，安装在IT设备时的芯片厚度能大幅减少。SK 海力士最快明年公开采用这种封装方式的研究成果。
2.5D 扇出封装技术以前从未用于存储器产业，过去主要是用于先进的系统半导体制造领域。台积电2016年首次将扇出晶圆级封装（FOWLP）商业化，将其16纳米应用处理器与移动应用的DRAM整合到iPhone 7的一个封装中，从而使这项技术推向舞台。三星电子从今年第四季开始将这一技术导入 Galaxy 智能手机高级 AP 封装中。
外界猜测，SK 海力士之所以在内存使用扇出封装，是为了降低封装成本。2.5D 扇出封装技术可跳过硅通孔（TSV）制程，从而提供更多 I/O 数量并降低成本。业内人士推测，这种封装技术将应用于Graphic DRAM（GDDR）和其他需要扩展信息I/O产品。
除了利用这项技术外，SK 海力士也努力巩固与英伟达的合作，后者在HBM市场处于领先地位; SK 海力士也成为苹果 Vision Pro 中 R1 这种特殊 DRAM 芯片的独家供应商。