芯片制造业计算负载提速 40-60 倍,台积电和新思科技推进部署英伟达 cuLitho 平台

2024-03-19
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3 月 19 英伟达今天发布了新闻稿,宣布台积电和新思科技(Synopsys)为加快制造和推动下一代先进半导体芯片的物理极限,正在推进英伟达计算光刻平台的部署。

图源:pixabay

台积电和新思科技已决定将英伟达集成到其软件、制造技术和系统中 cuLitho 计算光刻平台,加快芯片制造,支持未来最新一代英伟达 Blackwell 架构 GPU。

黄仁勋在 GTC “计算光刻技术是芯片制造的基石,”开发者大会上说Synopsys 合作开发的 cuLitho 采用加速计算和生成式人工智能,为半导体规模化开辟了新的领域。

英伟达还推出了一种全新的生成式人工智能算法,并对其进行了加强 GPU 加速光刻技术库的计算 cuLitho,与目前的基础相比 CPU 半导体制造工艺得到了显著改进。

IT之家注:在半导体制造过程中,计算光刻是最密集的工作负荷,每年消耗一次 CPU 数百亿小时。

芯片生产的关键步骤之一是成本 3000 万小时的 CPU 时间计算典型的掩模集,因此半导体OEM通常建立大型数据中心。

英伟达表示 350 个英伟达 H100 这个系统现在可以被取代 40,000 个 CPU 该系统加快了生产时间,降低了成本、空间和功耗。

英伟达表示 cuLitho 台积电生产过程中出现了优势,两家公司共同实现了曲线流速(curvilinear flows)提高 45 倍,传统的曼哈顿流程(traditional Manhattan-style flows)提高近 60 倍。

为了进一步提高,英伟达开发了应用生成式人工智能的算法 cuLitho 平台的价值。通过 cuLitho 在实现加速过程的基础上,新的生成人工智能工作过程可以得到额外的改进 2 倍的速度。

考虑光的衍射,可以通过应用生成人工智能创建几乎完美的反向掩膜或反向解决方案。然后通过传统的严格物理方法得到最终的光罩,从而校正整个光学近似(OPC)这个过程的速度提高了两倍。

目前,晶圆厂工艺中的许多变化都需要修改 OPC,因此,在晶圆厂的开发周期中,增加了所需的计算量,造成了瓶颈。cuLitho 加速计算和生成人工智能可以减少这些成本和瓶颈,使工厂能够在开发中分配可用的计算能力和工程带宽 2 当纳米和更先进的新技术设计出更新颖的解决方案时。


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