2nm工艺、HBM芯片都要搞 美国授予三星至多64亿美元建厂补贴

2024-04-16
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  当地时间周一,美国商务部国家标准和技术研究所的官方网站发表声明,宣布根据美国芯片法案,与韩国三星电子达成初步协议,提供至少64亿美元的直接补贴。

来源:NIST

  三星作为世界上唯一一家同时在存储芯片和逻辑芯片领域处于领先地位的公司,计划在未来几年投资400多亿美元建立一套半导体研发和生产生态系统。

  HBM芯片封装生产能力新建2nm工艺

  根据三星与美国政府的协议,韩国芯片巨头准备建造两家“世界领先的逻辑芯片厂”、在扩建三星原有奥斯汀晶圆厂的同时,研发中心和先进的包装设施。

  根据NIST的公告,奥斯汀工厂的扩建将支持硅的全耗尽绝缘体(FD-SOI)工艺技术的生产将用于航空航天、国防等关键领域。这笔拨款还包括三星与美国国防部合作的承诺。

  新建设施位于德克萨斯州的泰勒市。三星将在那里建立一个完整的半导体研发生态系统,包括一个致力于比当前工艺节点“先进一代”的研发工厂,两个专注于大规模生产4nm和2nm工艺芯片的晶圆工厂。还有一个高带宽内存的3D包装,以及一个具有2.5D芯片包装能力的先进包装设施,这是人工智能芯片迫切需要的尖端容量。

  公告指出,除协议中提到的64亿美元直接拨款外,三星还计划申请美国财政部的投资税抵免,预计将覆盖合规资本支出的25%。

  据一位美国高级官员称,三星将美国半导体工厂的投资从170亿美元增加到近450亿美元。对于两家先进的逻辑芯片工厂,一家计划于2026年投产,另一家计划于2027年投产。该官员还表示,一些“二打供应商”表示,他们将迁往美国与三星半导体产业集群合作。

  美国商务部长雷蒙多也在媒体吹风会上强调:“三星的先进逻辑芯片晶圆厂有11个足球场那么大,现在他们要建两个。”

  三大巨头都拿到了钱

  随着三星周一获得美国芯片补贴,上周获得资金的台积电,以及3月底获得资金的美国本土公司英特尔,海外三大先进芯片制造巨头都获得了补贴。此前,由于补贴延迟到位,许多公司都有传言称投资规模延迟或缩小。

  虽然三星获得的补贴金额最低,但它是投资比例最高的。台积电获得了66亿美元的芯片法案补贴,该公司计划在亚利桑那凤凰城投资650亿美元建立三家芯片工厂;英特尔计划在未来五年内在美国投资超过1000亿美元。

  与台积电和英特尔不同,美国政府在公告中没有提供三星优惠贷款政策。然而,韩国巨头也拥有巨大的现金储备。截至12月底,公司财务报告中的现金和可变现资产已达69.1万亿韩元(近500亿美元)。

  《芯片法》中的工厂建设补贴总额为390亿美元,这三家公司获得的215亿美元占总额的近55%。

  顺便说一句,世界第四大晶圆OEM工厂格芯(GlobalFoundries)2月份,美国还获得了15亿美元的工厂建设补贴。这部分属于美国对成熟工艺扩张的补贴,Microchip技术和BAE系统公司也获得了类似的资金。

  据美国商务部介绍,20世纪90年代,美国当地芯片产量占世界的三分之一以上,到2020年只剩下12%。随着《芯片法》的投资,美国希望到2030年占世界上最先进的逻辑芯片产能的20%。

  拜登总统在白宫发表的一份声明中表示,三星的先进半导体制造和研发将进入德州,为当地创造至少2.15万个就业机会。这些设施将支持世界上最强大的芯片的生产,这对人工智能和其他先进技术至关重要。

来源:白宫

  首尔Eugene投资三星增加在美国的投资&证券公司研究主管Leee Seung-woo说,三星最近暂停了平泽芯片厂的建设,这表明该公司现在专注于美国市场,而不是韩国。

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  • 半导体
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芯伴

这家伙很懒,什么描述也没留下

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