C114讯 5月11日消息 据国家信息光电子创新中心官方账号报道，近日，国家信息光电子创新中心（NOEIC）与鹏城实验室光电集成联合团队完成了2TB/s硅光互连芯粒（chiplet）我国首次验证了3D硅基光电芯粒架构的开发和功能验证，实现了单片最高8×单向互连带宽为256Gb/s。
据了解，在2021年1.6T硅光互连芯片的基础上，团队进一步突破了光电协同设计模拟方法，开发了200多G硅光配套单路 driver和TIA芯片征服了硅基光电三维堆叠包装技术，形成了一套基于硅光芯片的三维芯片集成方案。
2Tb/s 硅基3D集成光发射颗粒
2Tb/s 硅基3D集成光接收芯粒
硅光互连芯粒的侧向显微镜结构
该方案充分利用了硅光与CMOS包装工艺兼容性的特点。与传统wirebond方案相比，3D芯片可以解决电芯片与光芯片之间高密度、高带宽电连接的困难，显著减少光电芯片连接过程中射频信号的严重衰减。通过系统传输测试，下一代光模块标准的224GB/8个通道s 在PAM4光信号速率下，TDECQ均在2db以内。通过进一步的链路平衡，最高可支持率为8×256Gb/s，单片单向互连带宽高达2Tb///s。
8×224Gb/s硅基光发射芯粒输出
据透露，这份工作充分展示了三维集成硅光芯粒的优越互连性，以及联合团队领先的自主研发水平。该结果将广泛应用于下一代计算系统和数据中心所需的CPO、NPO、LPO、在LRO等各种光模块产品中，为国内信息光电子技术的领先突破探索了可行的道路。
硅光已成为全球光模块市场的主流技术之一。LightCounting此前预计，使用基于Sip的光模块的市场份额将从2022年的24%增加到2028年的44%。 