5 月 30 据《工商时报》和《经济日报》报道，南亚科技在昨天的年度股东常会上表示，它的第一个 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年年初进入试产阶段。

目前，南亚科技正在进行中 1B nm 制程的 DRAM 试产，涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其第一批。 DDR5 内存将在下半年进行少量试产，明年产量将进一步增加。

另外，南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版，16Gb LPDDR5 内存、16Gb LPDDR4 内存和 4Gb DDR3 内存等产品。

今年南亚科技也将同步发展 TSV 未来将结合技术 DDR5 制造高容量(3DS)的内存颗粒和该技术DRAM 满足服务器市场需求的内存模块。

南亚科技表示，它已经达到了每一代人的每一个过程 30% 目前比利时正在提高位元的速度 imec 为采用微电子研究中心合作 EUV 先进的光刻机 DRAM 准备工艺。

南亚科技 4 月实现 32.06 新台币亿元(目前约 7.18 合并收入1亿元人民币，同比大幅增长 41.88%。