长江存储推出UFS 3.1高速闪存芯片,加速5G时代存储升级

2022-04-19 21:40:39
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2022年4月19日,长江存储科技有限责任公司宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。长江存储表示,这款高速闪存芯片专为5G时代打造,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域,以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场,将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。

长江存储高级副总裁陈轶表示 :“随着5G通信、大数据、AIoT的加速普及,我们的工作生活随时随地与信息和数据相伴。智能终端需要在短时间内处理海量数据,这对存储芯片的容量、性能及响应速度提出了更加严苛的要求。长江存储依托创新晶栈(Xtacking®)架构3D NAND闪存,已面向办公、移动通信和企业级存储市场陆续推出了多款商用解决方案。UC023作为长江存储面向高端嵌入式市场的首款旗舰产品,具有高速、稳定、耐用等特点,将为移动产品带来敏捷的响应速度和畅快的使用体验。”

根据JEDEC 2020年发布的标准,在加入了写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)、性能调整通知(Performance Throttling Notification)等技术后,UFS 3.1理论带宽可达2.9GB/s*,性能较eMMC 5.1及UFS 2.2有了大幅提升。UFS 3.1作为当下旗舰智能手机、平板的首选存储方案,可大幅缩短应用加载的等待时间,提升工作效率,为消费者带来8K视频、AR/VR等前沿技术的优质体验。

业内著名分析机构Counterpoint资深分析师Brady Wang表示:“当下,手机已经不仅仅是一种通信工具,更兼具了工作、会议、学习、娱乐、购物等多重作用,尤其是大幅改善的相机品质和数量,使得手机需要更大的存储容量与更快的响应速度。高端旗舰手机的存储容量需求在过去的三年中攀升明显,其2021年平均存储容量相较2019年提升约17.8%,存储需求上涨约48%。”

为了使消费者在赏玩高帧率游戏、观看8K高清视频时获得更为流畅的使用体验,长江存储UFS 3.1闪存UC023采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking® 2.0)技术的TLC 3D闪存颗粒,设计和工艺得到了进一步的改良优化。作为旗舰级UFS 3.1闪存,UC023还具备如下特点:

一是解码多项新技术,全面释放UFS 3.1优势:搭载主机碎片化整理技术(HID),优化数据处理操作,节省更多存储空间;引入随机写性能优化机制,写入速度提升至230K IOPS*,实现多个应用自如切换。

二是出色的性能功耗比,增强用户移动体验:发挥极致读写性能的同时,仍然保证超低功耗运行。在线观看8K高清视频不卡顿,设备待机时间显著增长。

三是为客户量身定制,提供多款主流容量:UC023提供定制化产品开发服务与及时、专业、高效的技术支持;128、256和512GB三款存储容量,满足主流市场需求。

UC023现已通过各平台验证,兼容性强、应用广泛。此次UC023的正式发布,标志着长江存储嵌入式解决方案可以满足更为严苛的测试标准,适配更复杂的使用环境。

2020年至今,长江存储先后研发并量产了满足不同细分市场需求的存储芯片,从入门级的eMMC 5.1到主流的UFS 2.2,再到高速的UFS 3.1闪存,为智能终端客户提供了多样化、高可靠性的产品组合。未来,长江存储还将以晶栈(Xtacking®)技术为核心,持续完善产品布局,与产业链上下游携手并进,为全球半导体产业持续贡献价值。

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