Crocus Technology是拥有专利磁性逻辑单元™ (MLU) 技术的隧道磁阻传感器 (TMR) 的领先开发商，日前该公司宣布推出CT219磁场传感器。凭借业界领先的技术，在闭环配置中使用时，CT219 以其非接触性，高灵敏度和宽动态范围的特性超越了现有同类型元器件。CT219可以更安全处理高电流系统，用于取代电流互感器时可显著减少系统尺寸和重量，同时利于开发更紧凑和环保的技术设计。CT219还可高精度测量磁场诱发的线性距离运动，用于诸如齿轮测量、伺服控制运动系统、打印机、汽车和机器人等应用。
主要产品优势包括：
- 非接触式电流检测
- 宽动态范围：测量范围从几毫安到几百安培
- 高线性：满量程低于0.5％偏差
- 高灵敏度：80mV/mT
- 小外形JEDEC SOT-26封装
- 高温度稳定性：-40摄氏度至125摄氏度
“多功能CT219非接触式传感器带来革命性创新，可用于智能电表，配电单元 (PDU)、电机控制、智能家电、物联网相关产品，”公司销售和营销总监Zack Deiri如此评价。“无论是测量系统电源效率或位移线性位置，CT219都可以实现紧凑的固态设计，实现节能，高精度和可重复性，满足现有的系统和新兴物联网，工业自动化，绿色环保科技产品要求。”
CT219已量产，提供JEDEC SOT-26封装卷带式运输方式。样品可通过世界各地我们的授权分销商进行订购：Future Electronics, Mouser, Comtech, 和 Weikeng International。
作为磁场传感器的主要供应商，Crocus Technology已通过 ISO 9001：2008年全球NQA认证。质量管理体系已经在其设施中实施。
关于MLU
Crocus Magnetic Logic Unit™ (MLU) 架构使用其革新性的自我参照专利技术。该技术使用了 Thermally Assisted Switching™ (TAS) 和 Differential Thermally Assisted Programming (DTAP).自参考 TAS (SR-TAS)实现了磁技术实施领域之前无法实现的突破。这些技术实施包括：超灵敏磁传感器、高度稳定安全的嵌入式存储器、超高温非易失性存储器 (NVM) 运转（如约 200° C）、基于超高密度硬件的表检索（如内容定址存储器）、高密度多位存储器，以及缩放至 20nm 以下的生产制造。DTAP 技术成就了传感器设备的独特偏压操作以实现更优的性能。
MLU是一款平台技术，可用于多款产品的设计，如磁传感器、存储器和安全产品等。MLU 技术的核心是薄膜磁阻元件，即所谓的磁性隧道结 (MTJ)。MTJ 的极简组件有两片磁层和中间薄薄的绝缘层。MTJ 的抗电阻性取决于两层磁矩之间的角度，反向时为高，平行时则为低。根据不同产品可选择不同 MTJ 设备的构造。
用于传感器产品的MLU技术
Crocus磁场传感器使用结构简单的MTJ。即MTJ仅两片磁层构成（如下图所示）。
其中一片磁层底部使用一片反铁磁性层来固定磁场定向，该磁层被称为参考层。
另一片磁层称为感应层，可根据外部磁场随意改变其定向。
制造时使用 Crocus 专利 DTAP 技术为参考层进行普通编程。
MTJ的抗电阻性取决于传感层和参考层磁矩的角度。由于外部磁场会影响传感层定向，MTJ抗电阻性便取决于外部磁场。当磁场与参考层反向，MTJ则表现出高抗电阻性，当磁场与参考层同向，MTJ则表现出低抗电阻性。外部磁场将决定哪一个会更强。基本MTJ的函数曲线如下图所示。曲线清晰地划分出三个不同的区域。高抗电阻区（参考层与传感层反向）、过渡区（MTJ抗电阻性在高和低之间变换）以及抵抗电阻饱和区（参考层与传感层同向）。中间的过渡区通常用于线性应用，可在抗电阻性和磁场的密度和方向之间建立直接相关性。
使用下图所示排列顺序的大量MTJ来设计实用传感器器件。
这些器件不仅具备极高稳定性，还能在产生磁控电阻的输出电阻时拥有很大的灵活性，输出电阻范围从几欧到几十万欧，面对不同应用时效果尤其显著。
另外，此类传感器器件可直接使用相对较大的电压操作。
Crocus已根据此基本原理引入多元创新，开发出一系列磁传感器产品。
关于Crocus Technology
Crocus Technology开发并供应基于Magnetic Logic Unit™ (MLU)专利技术的 磁传感器与与嵌入式存储器解决方案。
Crocus磁传感器为需要高灵敏度、高温、低噪音和低成本的工业、电子消费产品和汽车应用带来巨大优势。MLU 的突出特性是提升速度和耐久性，为旨在用于物联网与安全应用的 Crocus 嵌入式存储器解决方案提供新层次的稳定性。
Crocus的总部在加州圣克拉拉，在法国格勒诺布尔和鲁塞有办事处。Crocus共同拥有俄罗斯先进磁半导体制造工厂Crocus Nano Electronics。