波长:1064nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:450 KV/W @ 900nm,280 KV/W @ 1064nm |
响应时间:7ns |
有效面积:7.1mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 型,12 引线 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 900nm |
响应时间:5ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V |
电流 - 暗(典型值):10nA |
有效面积:0.8mm² |
工作温度:-40°C ~ 80°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-18-2 金属罐 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 900nm |
响应时间:12ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V |
电流 - 暗(典型值):30nA |
有效面积:5mm² |
工作温度:-40°C ~ 80°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:60 A/W @ 900nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V |
电流 - 暗(典型值):15nA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-18 |
波长:830nm |
频谱范围:400nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:77 A/W @ 830nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V |
电流 - 暗(典型值):15nA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-18 |
波长:1300nm,1550nm |
频谱范围:800nm ~ 1700nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.9 A/W @ 1300nm,0.95 A/W @ 1550nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
有效面积:350µm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 125°C |
安装类型:底座安装 |
封装/外壳:模块 |
波长:1300nm,1550nm |
频谱范围:800nm ~ 1700nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.9 A/W @ 1300nm,0.95 A/W @ 1550nm |
响应时间:70ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
有效面积:100µm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 125°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐 |
波长:430nm |
频谱范围:400nm ~ 700nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:26 A/W @ 430nm |
响应时间:2ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V |
电流 - 暗(典型值):1.5nA |
有效面积:5.6mm² |
工作温度:0°C ~ 50°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:2-DIP |
波长:830nm |
频谱范围:400nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:128 A/W @ 830nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V |
电流 - 暗(典型值):15nA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-18 |
频谱范围:350nm ~ 850nm |
响应时间:300ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):95 V |
电流 - 暗(典型值):700nA |
有效面积:3mm² 高 x 3mm² 宽 |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 型,12 引线 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:560 KV/W @ 900nm |
响应时间:10ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):425 V |
有效面积:0.5mm² |
视角:130° |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 型,12 引线 |
波长:900nm |
颜色 - 增强:紫外线(UV) |
频谱范围:250nm ~ 1150nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:130 MV/W @ 900nm |
有效面积:2.5mm 直径 |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-100-10 金属罐 |
波长:850nm,1300nm,1550nm |
频谱范围:800nm ~ 1700nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.2 A/W @ 850nm,0.9 A/W @ 1300nm,0.95 A/W @ 1550nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):25nA |
有效面积:3mm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 |
波长:900nm |
颜色 - 增强:紫外线(UV) |
频谱范围:250nm ~ 1150nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:130 MV/W @ 900nm |
有效面积:5.4mm 直径 |
波长:1550nm |
频谱范围:1100nm ~ 1700nm |
二极管类型:雪崩 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V |
有效面积:200µm |
工作温度:-20°C ~ 70°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD |
波长:830nm |
频谱范围:400nm ~ 1000nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:128 A/W @ 830nm |
响应时间:500ps |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V |
电流 - 暗(典型值):15nA |
有效面积:0.2mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-66 |
波长:1550nm |
频谱范围:1100nm ~ 1700nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:80 KV/W @ 1300nm,90 KV/W @ 1550nm |
响应时间:150ns |
有效面积:0.005mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 型,12 引线 |
波长:900nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:45 A/W @ 900nm |
响应时间:2ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):500 V |
电流 - 暗(典型值):200nA |
有效面积:7mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 |
波长:1550nm |
频谱范围:1100nm ~ 1700nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:300 KV/W @ 1300nm,340 KV/W @ 1550nm |
响应时间:150ns |
有效面积:0.03mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 型,12 引线 |
波长:850nm,1300nm,1550nm |
频谱范围:800nm ~ 1700nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.2 A/W @ 850nm,0.9 A/W @ 1300nm,0.95 A/W @ 1550nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V |
电流 - 暗(典型值):140nA |
有效面积:5mm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-233AA,TO-8-3 透镜顶部金属罐 |
波长:1064nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:370 KV/W @ 900nm,200 KV/W @ 1064nm |
响应时间:150ns |
有效面积:0.5mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-8 型,12 引线 |
波长:850nm,1300nm,1550nm |
频谱范围:800nm ~ 1700nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.2 A/W @ 850nm,0.9 A/W @ 1300nm,0.95 A/W @ 1550nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V |
电流 - 暗(典型值):1nA |
有效面积:0.5mm 直径 |
工作温度:-40°C ~ 85°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-18-2 金属罐 |
波长:1060nm |
频谱范围:400nm ~ 1100nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:8 A/W @ 1060nm |
响应时间:1ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):290 V |
电流 - 暗(典型值):75nA(最大) |
有效面积:0.5mm² |
工作温度:-40°C ~ 70°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 |
波长:850nm |
颜色 - 增强:紫外线(UV) |
频谱范围:400nm ~ 1150nm |
二极管类型:引脚 |
不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 850nm |
响应时间:1ns |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V |
电流 - 暗(典型值):10nA |
有效面积:5.1mm² |
工作温度:-40°C ~ 125°C |
安装类型:通孔 |
封装/外壳:TO-5 |
波长:1550nm |
频谱范围:1100nm ~ 1700nm |
二极管类型:雪崩 |
不同 nm 时响应度:9.3 A/W @ 1550nm |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V |
电流 - 暗(典型值):50nA |
有效面积:80µm |
工作温度:-20°C ~ 70°C |
安装类型:表面贴装型 |
封装/外壳:2-SMD |
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