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深圳市向阳芯城科技有限公司成立于2018年01月29日，注册地位于深圳市福田区华强北街道华航社区中航路18号新亚洲国利大厦2317，法定代表人为陈晓龙。经营范围包括一般经营项目是:电容、电感、电阻、集成电路、二三极管、半导体、等电子元器件的开发与销售;数码产品、电子产品的销售;国内贸易;提供元器件产品的技术开发、技术咨询;货物及技术进出口。,许可经营项目是

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Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SQ96A82L是集成USB\SD控制接口的音频编解码SoC电路，具有低成本、低功耗、高性能、高集成度的特点。芯片采用低功耗MCU与高性能RISC的双核构架。集成的MCU方便用户进行二次开发。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SQ96A86S作为一颗高度集成的音频SoC，集成Cortex-M0进行低功耗管理，高性能CPU完成系统控制，配以高性能音频专用DSP处理音频编解码和音效处理，同时还集成SAR-ADC，USB2.0，SD/MMC/SDIO等控制器，RTC，以及音频CODEC和I2S音频接口。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SQ96B82L是集成USB\SD控制接口的音频编解码SoC电路，具有低成本、低功耗、高性能、高集成度的特点。芯片采用低功耗MCU与高性能RISC的双核构架。集成的MCU方便用户进行二次开发。SQ96B82L 可外接蓝牙RF收发器，软件嵌入蓝牙协议栈解析和语音处理，实现蓝牙音乐播放和语音通话功能。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SQ96B86S作为一颗高度集成的音频SoC，集成Cortex-M0进行低功耗管理，高性能CPU完成系统控制，配以高性能音频专用DSP处理音频编解码和音效处理，同时还集成SAR-ADC，USB2.0，SD/MMC/SDIO等控制器，RTC，以及音频CODEC和I2S音频接口。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVF28N50PN 是 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVG06100NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVG10111NA6 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVG10111ND N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVG10170ND(T) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVG105R0NL5 N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVG105R4NT(S) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVG15670NSA N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS11N65FJHE2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS11N65FJHE2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
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SVS11NF60DD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS11NF60DD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS5N105FD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS5N105FD2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
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SVS60R125FE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R125FE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
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SVS60R160FJDE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R160FJDE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS60R280FJDE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R280FJDE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS60R300DHE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R300DHE3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS60R570F(FJD)(D)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R570F(FJD)(D)E3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS65R300FE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS65R300FE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS70R420D(S)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS70R420D(S)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。
Honeywell 霍尼韦尔 SPT 系列工业压力传感器

SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。