2SF458600FYL是采用硅外延工艺制造的超快恢复二极管芯片；超快的恢复时间；大电流能力；低正向压降；低反向漏电流。

2SF458600SYL是采用硅外延工艺制造的超快恢复二极管芯片；超快的恢复时间；大电流能力；低正向压降；低反向漏电流。

2SF487700FYL是采用硅外延工艺制造的快恢复二极管芯片；超快的恢复时间;大电流能力；高抗浪涌电流能力；低正向压降；低反向漏电流。

2SF592700FYL是采用硅外延工艺制造的快恢复二极管芯片；超快的恢复时间；大电流能力；高抗浪涌电流能力；低正向压降；低反向漏电流。

2SF686400FYL是采用硅外延工艺制造的快恢复二极管芯片；超快的恢复时间；大电流能力；低正向压降；低反向漏电流。

硅外延工艺制造肖特基二极管芯片。损耗功率小效率高。正向压降低。

采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片。损耗功率小效率高。正向压降低。

采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；损耗功率小效率高；正向压降低。

采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；损耗功率小效率高；正向压降低。

采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；损耗功率小效率高；正向压降低。

采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；损耗功率小效率高；正向压降低。

硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；损耗功率小效率高；正向压降低。

采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；损耗功率小效率高；正向压降低。

采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；损耗功率小效率高；正向压降低。

采用硅外延工艺制造的肖特基二极管芯片；损耗功率小效率高；正向压降低。

3DD328120NPYL采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性高的特点；产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中；3DD328120NPYL三极管适用于TO-3P封装外形；互补PNP管：3DD328120PPYL。

3DD328120PPYL采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性高的特点；产品主要应用于电子节能灯、电子镇流器及开关电源中；3DD328120PPYL三极管适用于TO-3P封装外形；互补PNP管：3DD328120NPYL。

3DD427140PPYL采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点；优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力；产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点；3DD427140PPYL三极管适用于TO-3P封装外形；互补NPN管：3DD427140NPYL。

3DD464230NPYL 采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点；优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力；产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点；3DD464230NPYL三极管适用于TO-3P封装外形；互补PNP管：3DD464230PPYL。

3DD464230PPYL  采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计提升了器件的抗二次击穿能力。产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。3DD464230PPYL三极管适用于TO-3P封装外形。互补NPN管：3DD464230NPYL。

3DD550250NPYL采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点；优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力；产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点；3DD550250NPYL三极管适用于TO-3P封装外形；互补PNP管：3DD550250PPYL。

3DD550250PPYL采用平面工艺技术制造，具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。产品主要应用于家用电器、AV器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽、失真度低的特点。3DD550250PPYL三极管适用于TO-3P封装外形。互补NPN管：3DD550250NPYL。

3GM046070NPJL采用平面工艺技术制造，与发光二极管配合使用作为光电信号接收装置，应用广泛。3GM046070NPJL三极管适用于DIP4L封装外形。

3GT385060PFYL是采用士兰微电子平面栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管；采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的饱和压降和开关损耗；正面电极材料为铝，背面电极材料为铝、钛、镍、银；该产品主要应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

3GT427060PFYL是采用士兰微电子平面栅IGBT工艺技术制造的用于塑封的绝缘栅双极型晶体管；采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的饱和压降和开关损耗；正面电极材料为铝，背面电极材料为铝、钛、镍、银；该产品主要应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。