2CW035XXXYQ-PX系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于玻封。该系列为上下限非对称型稳压值产品。亦即某档次的稳压值上下限与中心标称值是不对称设置的，如3.0V规格的产品，上限值为3.25V，下限值为2.95V，这样的规格设置能更好地适应整机用户的使用习惯。为了方便整机用户在比较窄的稳压值范围内选择参数，该系列将每一档的稳压值再进行了细分，分别称为PA、PB、PC、PD档等。芯片厚度为140微米，正面电极材料为银球，背面电极材料为银。芯片尺寸：0.35 X 0.35 (mm)2。

2CW035XXXYQ系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于玻璃封装。可提供三种精度的各档稳压值产品。芯片厚度为140微米，正面电极材料为银球，背面电极材料为银，芯片尺寸：0.35 X 0.35 (mm)2。

2CW040091YQ-PB是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于玻封。正面电极材料为银球，背面电极材料为银。芯片尺寸：0.40X 0.40 (mm)2(含划片道)。

2CW040XXXYQ系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于玻封。正面电极材料为银球，背面电极材料为银。芯片尺寸：0.40X 0.40 (mm)2(含划片道)。

2CW071XXXYQ系列是利用硅外延工艺生产的小功率稳压二极管芯片，适合于玻封。正面电极材料为银球，背面电极材料为银。芯片尺寸：0.71X 0.71 (mm)2(含划片道)。

2CW071XXXYY系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于塑封。稳压值精度约为±5%。

2CW087XXXYY-C系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于塑封。稳压值精度约为±5%。

2CW087XXXYY系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于塑封。稳压值精度约为±4%。

2CW100XXXYY-C系列是利用硅外延工艺生产的稳压二极管芯片，适合于塑封。稳压值精度约为±5%。

2ES036067R1PJL  是利用先进的硅电路工艺生产的单通道低电容静电放电保护器件，适合于SOD和FBP 等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±12kV（接触放电）。

2ES039050Z6PJL 是利用硅外延工艺生产的六阵列小功率静电放电保护二极管芯片，适合于塑封；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流(< 1μA)；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES039080R2PGL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道低电容静电放电保护器件，适合于DFN1006、SOT-23等封装外形；输入端对地不大于0.9pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1uA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；输入端对地IEC61000-4-2(ESD)：±15kV（空气放电）±8kV（接触放电）

2ES039XXXR2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道低电容静电放电保护器件，适合于DFN1006、SOT-23等多种封装外形；输入端对地不大于0.9pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流 (< 1μA) ；适合于高速数据传输线的ESD保护；输入端对地IEC61000-4-2(ESD):±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES042033R1PJL是利用先进的硅电路工艺生产的单通道超低电容瞬态电压抑制芯片，适合于SOD、DFN、FBP等多种封装外形；输入端对地不大于5pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES043067R2PJL是利用先进的硅电路工艺生产的两通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

2ES050030P1(P)JL是利用硅外延工艺生产的小功率静电保护二极管芯片，适合于塑封；2ES050030P1JL为N型衬底，2ES050030P1PJL为P型衬底；优越的电压箝位能力；快速的响应速度；漏电流小；ESD>15KV(空气模式和接触模式)。

2ES059033R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道超低电容瞬态电压抑制芯片，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.6pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

2ES059067R4P是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.8pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±10kV（接触放电）。

2ES060067R4PJLSC1是利用先进的硅电路工艺生产的4通道电压轨钳位型超低电容瞬态电压抑制芯片，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的超低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）±10kV（接触放电）。

2ES062067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于1.2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

2ES063067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；输入端对地不大于1.5pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流 (< 1μA) ；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD):±20kV（空气放电）；±15kV（接触放电）。

2ES065067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地不大于0.8pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±8kV（接触放电）。

2ES078067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的4通道电压轨钳位型超低电容瞬态电压抑制芯片，适合于SOT、SO、MSOP、DFN等多种封装外形；输入端对地典型电容值为1.0pF；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）。

2ES083067R4PJL是利用先进的硅电路工艺生产的四通道低电容静电放电保护器件，适合于SOT、MSOP等多种封装外形；输入端对地不大于2pF的低电容结构；低钳位电压；快速的响应速度；低漏电流（< 1μA）；适合于高速数据传输线的ESD保护；IEC61000-4-2(ESD) ：±15kV（空气放电）；±10kV（接触放电）。

2KG037075PJL是利用硅外延工艺生产的共阴双管芯开关二极管芯片；由于双管芯制作在同一芯片衬底上，参数匹配性好；优化的图形设计，便于封装键合，同时双芯之间的干扰很小；芯片正面电极材料为铝，背面电极材料为金。