新利18国际娱乐_专注于传感器技术领域

深圳赛达欣

深圳市赛达欣电子有限公司注册地址位于深圳市龙岗区布吉街道长龙社区水径欧密巷7号本涛公司厂房608，注册机关为深圳市市场监督管理局，法人代表为欧阳志成，经营范围包括一般经营项目是:仪器仪表销售;电子元器件批发;贸易代理;电子元器件零售;绘图、计算及测量仪器销售;电子专用设备销售;电子元器件与机电组件设备销售;电子专用材料销售;电力电子元器件销售;电子产品销售;国内贸易代理。

访问主页

ON Semiconductor 安森美 FLD00030 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:6 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:630nm
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳:2-SMD，J 形引线

ON Semiconductor 安森美 KDT00030TR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:6 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.1 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:630nm	安装类型:表面贴装型	方向:顶视图
工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，J 形引线

ON Semiconductor 安森美 QSB320 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
波长:880nm	视角:120°	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-55°C ~ 100°C（TA）
封装/外壳:2-PLCC

ON Semiconductor 安森美 QSB320FTR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
波长:880nm	视角:120°	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-55°C ~ 100°C（TA）
封装/外壳:2-PLCC

ON Semiconductor 安森美 QSB363CZR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，Z形弯曲

ON Semiconductor 安森美 QSB363GR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:940nm	视角:24°	功率 - 最大值:75 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳:2-SMD，鸥翼

ON Semiconductor 安森美 QSB363YR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:2-SMD，轭形弯曲

ON Semiconductor 安森美 QSB363ZR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:940nm	视角:24°	功率 - 最大值:75 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳:2-SMD，Z形弯曲

ON Semiconductor 安森美 QSB373ZR 光学传感器 - 光电晶体管

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:2-SMD，Z形弯曲

ON Semiconductor 安森美 QSC112CC6R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:8°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	封装/外壳:径向，3mm 直径（T-1）

ON Semiconductor 安森美 QSC113C6R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:8°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	封装/外壳:径向，3mm 直径（T-1）

ON Semiconductor 安森美 QSD122A4R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA
波长:880nm	视角:24°	功率 - 最大值:100 mW
安装类型:通孔	方向:顶视图	封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）

ON Semiconductor 安森美 QSD123 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:24°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）

ON Semiconductor 安森美 QSD733 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:40°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:TO-18-2

ON Semiconductor 安森美 QSD733C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:40°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:顶视图	封装/外壳:TO-18-2

ON Semiconductor 安森美 QSE1103 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:5.5 V	波长:880nm	视角:50°
功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔，直角	方向:侧视图
工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:3-SIP，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE113 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

onsemi 安森美 QSE113E3R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

onsemi 安森美 QSE114 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE114E3R0 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE122 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

onsemi 安森美 QSE133 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSE214C 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:880nm
视角:50°	功率 - 最大值:100 mW	安装类型:通孔
方向:侧视图	工作温度:-40°C ~ 100°C（TA）	封装/外壳:径向，侧视图

ON Semiconductor 安森美 QSB320TR 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:35 V	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 mA	电流 - 暗 (Id)（最大值）:200 nA
波长:880nm	视角:120°	功率 - 最大值:165 mW
安装类型:表面贴装型	方向:顶视图	工作温度:-55°C ~ 100°C（TA）
封装/外壳:2-PLCC

ON Semiconductor 安森美 QSB363 光学传感器 - 光电晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）:30 V	电流 - 暗 (Id)（最大值）:100 nA	波长:940nm
视角:24°	功率 - 最大值:75 mW	安装类型:表面贴装型
方向:顶视图	工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）	封装/外壳:轴向

1 2