说明:图像传感器 DR8K7_Invar_B&W_BM_v5_NOVREFC FT SE |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
系列:Dragster |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 DR8K7_Invar_B&W_BM_v5 FT SE |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
系列:Dragster |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90F6.0_NB_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_NP_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:BGA |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:1.8 V to 2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV120_F2.8_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV120_F2.8_LEDRing FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NanEye2D_RGB_F2.8_FOV120_SGA FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV120_F4.0_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV120_F4.0_3m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV160_F2.4_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV160_F2.4_LEDRing FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV160_F2.4_SGA FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90_F2.7_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_FOV90_F2.7_LEDRing FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_RGB_F2.7_FOV90_SGA FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
最大工作温度:+ 60 C |
最小工作温度:0 C |
封装 / 箱体:- |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工作电源电压:2.4 V |
工厂包装数量:1 |
电源电压-最大:2.4 V |
电源电压-最小:1.8 V |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:62.5 kilopixels |
RoHS:Y |
类型:Area Scan |
说明:图像传感器 Area Scan Sensor 12MP; Color |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:UPGA-237 |
封装:Tray |
系列:CMV12000 |
商标:ams / CMOSIS |
安装风格:Through Hole |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:16 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:12 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Area Scan |
说明:图像传感器 Area Scan Sensor 12MP; Mono |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:UPGA-237 |
封装:Tray |
系列:CMV12000 |
商标:ams / CMOSIS |
安装风格:Through Hole |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:16 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:12 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Area Scan |
说明:图像传感器 Area Scan Sensor 12MP; Mono |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:UPGA-237 |
封装:Tray |
系列:CMV12000 |
商标:ams / CMOSIS |
安装风格:Through Hole |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:16 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:12 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 CMV2000-2E12M1PP QA |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:UPGA-95 |
封装:Tray |
系列:CMV2000 |
商标:ams / CMOSIS |
安装风格:Through Hole |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:60 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 CMV2000-2E5M1PP QA |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:UPGA-95 |
封装:Tray |
系列:CMV2000 |
商标:ams / CMOSIS |
安装风格:Through Hole |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:60 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2 Megapixels |
RoHS:Y |
类型:Area Scan |
说明:图像传感器 Area Scan Sensor 2MP; Mono-NIR |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:- 30 C |
封装 / 箱体:LCC-92 |
封装:Tray |
系列:CMV2000 |
商标:ams / CMOSIS |
安装风格:SMD/SMT |
工作电源电压:3 V |
工厂包装数量:60 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
分辨率:2 Megapixels |
说明:图像传感器 DR2x2k7_LCC_RGB_Ceramic_v1.0 FT SE |
系列:Dragster |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
RoHS:Y |
说明:图像传感器 DR2x4K7_Invar_B&W_v5 FT SE |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
系列:Dragster |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_B&W_80umAperture FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
说明:图像传感器 NE2D_B&W_FOV90_F2.7_NB_2m FT SE |
寿命周期:工厂特别订单:
获取报价以核实当前价格、交货期和制造商的订购要求。 |
系列:NanEye |
商标:ams / CMOSIS |
工厂包装数量:1 |
子类别:Sensors |
产品类型:Image Sensors |
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