类型:单光子探测器 |
光子检测效率:70% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:780nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:70% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:780nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:70% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:780nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:35ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 28ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:70% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:780nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:22ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 10ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:70% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:780nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:35ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 28ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:68% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:800nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:68% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:800nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:35ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 28ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:68% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:800nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:22ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 10ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:68% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:800nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:68% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:800nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:68% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:800nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:35ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 28ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:58% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:850nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:22ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 10ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:58% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:850nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:22ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 10ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:58% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:850nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:58% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:850nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:58% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:850nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:35ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 28ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:45% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:900nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:22ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 10ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:45% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:900nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:22ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 10ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:45% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:900nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:45% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:900nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:45% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:900nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:35ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 28ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:45% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:900nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:35ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 28ns 2.2V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:45% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:900nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:22ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 10ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:管状屏蔽罩安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:45% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:900nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:28ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 18ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
类型:单光子探测器 |
光子检测效率:45% |
波长范围:400 ~ 1060nm |
暗计数率:1000cps |
波长 - 峰值:900nm |
最大计数率:37Mcps |
空载时间:35ns |
电压 - 供电:5VDC |
输出:TTL 28ns 4.4V |
检测器类型:雪崩光电二极管 |
有效面积:180μm |
特性:C 形安装支架 |
工作温度:5°C ~ 70°C |
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