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深圳森佰诺
深圳市森佰诺电子有限公司 注册地址位于深圳市福田区福田街道福田社区福田村祠堂坊22号601，注册机关为深圳市市场监督管理局，法人代表为朱美君，经营范围包括一般经营项目是：电子产品销售；电子元器件批发；电力电子元器件销售；电子元器件零售；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；互联网销售（除销售需要许可的商品）；光电子器件销售；半导体分立器件销售；半导体照明器件销售；通讯设备销售；国内贸易代理；货物进出口；技术进出口。
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  • Silan 士兰微 SVS11N65FJHE2 超结MOS功率管

    SVS11N65FJHE2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS11N65FJHE2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS11NF60DD2 超结MOS功率管

    SVS11NF60DD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS11NF60DD2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS5N105FD2 超结MOS功率管

    SVS5N105FD2   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS5N105FD2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R125FE3 超结MOS功率管

    SVS60R125FE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R125FE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R160FJDE3 超结MOS功率管

    SVS60R160FJDE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R160FJDE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3 超结MOS功率管

    SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R190F(FJD)(FJH)(K)(PN)(L8A)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R280FJDE3 超结MOS功率管

    SVS60R280FJDE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R280FJDE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R300DHE3 超结MOS功率管

    SVS60R300DHE3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R300DHE3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS60R570F(FJD)(D)E3 超结MOS功率管

    SVS60R570F(FJD)(D)E3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS60R570F(FJD)(D)E3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 超结MOS功率管

    SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3   N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS65R220L8A(T)(F)(FJD)E3 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS65R300FE3 超结MOS功率管

    SVS65R300FE3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS65R300FE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS70R420D(S)E3 超结MOS功率管

    SVS70R420D(S)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS70R420D(S)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 超结MOS功率管

    SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVS80R800FJH(D)E3 超结MOS功率管

    SVS80R800FJH(D)E3  N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVS80R800FJH(D)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVSP35NF65P7D3 超结MOS功率管

    SVSP35NF65P7D3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP35NF65P7D3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

  • Silan 士兰微 SVSP60R190L8AE3 超结MOS功率管

    SVSP60R190L8AE3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。此外，SVSP60R190L8AE3应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

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