SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3
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超结MOS功率管
Silan 士兰微
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深圳森佰诺
产品介绍
SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。
此外,SVS70R600D(S)(MJ)(F)E3应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。
主要特点
7A,700V,RDS(on)(典型值)=0.5W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
封装外形图
TO-263-2L
TO-252-2L
TO-251J-3L
TO-220F-3L
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