产品种类:光电二极管 |
商标:Advanced Photonix |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
工厂包装数量:40 |
Vr - 反向电压 :25 V |
上升时间:50 ns |
下降时间:50 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Blister Pack |
封装 / 箱体:TO-46 |
峰值波长:1100 nm |
工厂包装数量:40 |
暗电流:200 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :20 V |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
响应率:0.13 A/W |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Blister Pack |
封装 / 箱体:TO-46-2 |
峰值波长:275 nm |
工厂包装数量:40 |
暗电流:300 pA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
工厂包装数量:3000 |
湿度敏感性:Yes |
Vr - 反向电压 :10 V |
产品:Quad Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
响应率:1 A/W |
商标:Advanced Photonix |
噪声等效功率 - NEP:2E-14 W/Hz 1/2 |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Reel |
封装 / 箱体:SMD-6 |
工厂包装数量:50 |
暗电流:800 pA |
最大工作温度:+ 75 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:20 ns |
产品:Quad Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
响应率:0.92 A/W |
商标:Advanced Photonix |
噪声等效功率 - NEP:1E-14 W/Hz 1/2 |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Blister Pack |
封装 / 箱体:TO-5 |
峰值波长:1700 nm |
工厂包装数量:40 |
暗电流:800 pA |
最大工作温度:+ 85 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :20 V |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:65 deg |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
响应率:1 A/W |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Reel |
封装 / 箱体:1206 (3215 metric) |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:200 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
工厂包装数量:40 |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
工厂包装数量:40 |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Bulk |
工厂包装数量:1 |
Vr - 反向电压 :2 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
响应率:0.95 A/W |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:Through Hole |
封装:Blister Pack |
封装 / 箱体:TO-46 |
峰值波长:1100 nm |
工厂包装数量:100 |
暗电流:- |
最大工作温度:+ 75 C |
最小工作温度:- 40 C |
上升时间:1 us |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
响应率:0.42 A/W |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Gel Pack |
封装 / 箱体:TO-5-3 |
峰值波长:670 nm |
暗电流:250 nA |
最大工作温度:+ 70 C |
最小工作温度:0 C |
Vr - 反向电压 :75 V |
上升时间:190 ns |
下降时间:190 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Blister Pack |
封装 / 箱体:TO-46 |
峰值波长:1100 nm |
工厂包装数量:40 |
暗电流:8 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Blister Pack |
封装 / 箱体:TO-46 |
峰值波长:1700 nm |
工厂包装数量:40 |
暗电流:600 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Blister Pack |
封装 / 箱体:TO-46 |
峰值波长:1700 nm |
工厂包装数量:40 |
暗电流:600 pA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :32 V |
上升时间:20 ns |
下降时间:20 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:0.62 A/W |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装:Cut Tape |
封装 / 箱体:- |
峰值波长:1100 nm |
工厂包装数量:1500 |
暗电流:2 nA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
湿度敏感性:Yes |
Vr - 反向电压 :20 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:0.55 A/W |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
峰值波长:1100 nm |
工厂包装数量:100 |
暗电流:3.3 uA |
最大工作温度:+ 100 C |
最小工作温度:- 40 C |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
工厂包装数量:40 |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
工厂包装数量:40 |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
封装:Blister Pack |
工厂包装数量:40 |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Reel |
工厂包装数量:1000 |
湿度敏感性:Yes |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:- |
下降时间:- |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:SMD/SMT |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:MouseReel |
封装 / 箱体:0805 (2012 metric) |
峰值波长:680 nm |
工厂包装数量:3000 |
暗电流:1 nA |
最大工作温度:+ 105 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :50 V |
上升时间:190 ns |
下降时间:190 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
封装:Blister Pack |
封装 / 箱体:TO-5 |
峰值波长:1100 nm |
工厂包装数量:40 |
暗电流:1.6 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
Vr - 反向电压 :75 V |
上升时间:190 ns |
下降时间:45 ns |
产品:PIN Photodiodes |
产品种类:光电二极管 |
半强度角度:- |
响应率:0.55 A/W |
商标:Advanced Photonix |
安装风格:Through Hole |
寿命周期:Mouser 的新产品 |
封装:Tray |
封装 / 箱体:- |
峰值波长:1100 nm |
工厂包装数量:40 |
暗电流:6 nA |
最大工作温度:+ 125 C |
最小工作温度:- 40 C |
产品种类:光电二极管 |
发货限制:Mouser目前不销售该产品。 |
商标:Advanced Photonix |
寿命周期:新产品: 此制造商的新产品。 |
工厂包装数量:40 |
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